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RMNT > Bilan > Résumés 2002
RESUMES DES PROJETS LABELLISES EN 2002
Le projet WOLAND a pour but de mettre au point un procédé permettant de fabriquer les matrices des disques optiques préenregistrés. Ce système, apporte au client fabricant de disque CD/DVD un gain en rapidité, simplification, coût répétitif et une diminution d'un facteur 8 à 10 du montant investi. Le projet WOLAND a pour but de lever deux points durs rencontrés lors du développement du procédé de fabrication. Ce projet s'inscrit dans la dynamique de mise en place de l'entreprise Kochka Technology, destinée à industrialiser l'équipement et le procédé correspondant. Ce procédé s'appuie sur des technologies originales inspirées du monde du disque optique et du monde du semi-conducteur.
Les différents intervenants sont :
- Kochka Technology, en charge de la coordination du projet, de l'écriture d'information au standard DVD sur testeur et de la maîtrise d'oeuvre des caractérisations.
- le LETI, en charge du procédé de réalisation des substrats et du procédé de personnalisation du système Kochka.
- Le Centre de Transfert de Technologie du Mans, en charge d'un procédé alternatif particulier non pris en charge par le LETI, risqué techniquement mais intéressant économiquement.
La société de fabrication de disques optiques MPO, en charge de pressage de
disques à fin de test et caractérisation.
Partenaires du Projet :
- Kochka Technology
- LETI, Grenoble
- Centre de Transfert de Technologie du Mans, CTTM
- MPO, Mayenne
Identification :
- Durée : 18 mois
- Projet précompétitif
Point de contact :
M. François Xavier Pirot - fx.pirot@incubateur-emergence.com
Développement et validation d'une filière de biopuces Sol-Gel de haute sensibilité..
Ce projet se situe au carrefour des technologies des couches minces, de la biotechnologie et de la photonique.
Dans le cadre de ce projet nous allons mener :
- Un développement technologique de biopuces Sol-Gel de haute sensibilité entre le CEA-DRT et THALES ANGENIEUX, et différenciatrice par rapport aux technologies concurrentes.
- Une validation biologique des produits réalisés avec cette technologie sur le site du Génopole à Evry sur le thème de la prévention des maladies orphelines en collaboration avec l'Association Française de Myopathie (AFM).
- Une validation industrielle sur l'expression de gènes faiblement exprimés par la société issue du Groupe bioMérieux-Pierre Fabre, APIBIO.
Partenaires du Projet :
- THALES ANGENIEUX SA
- CEA Direction de la Recherche et de la Technologie (DRT)
- CEA Direction des Sciences du Vivant (DSV)
- APIBIO
Identification :
- Durée : 24 mois
- Projet Exploratoire
Point de contact :
M. Patrick Chaton - patrick.chaton@cea.fr
Les futurs microsystèmes autonomes "intelligents", comme ceux destinés aux cartes à puce, devront être associés à une source d'énergie appropriée pour leur permettre d'intégrer des fonctionnalités permanentes internes de type "PC"ou autres. Le projet se propose de développer une puce comportant un circuit actif et une microbatterie rechargeable (microgénérateur) montée en "above IC". Ceci permettra de réaliser un microsystème autonome pour quelques-unes de ses fonctions intégrées telles que l'horloge temps réel ou la sécurité active et une protection physique des connections apportée par "l'above IC".
Le programme technique à mettre en oeuvre présente deux volets : l'un concerne l'étude et le développement de la technologie d'intégration proprement dite des microbatteries sur une puce, l'autre la conception et la réalisation en technologie très basse consommation du système de gestion de l'énergie associé interne à la puce.
Partenaires du Projet :
- HEF R&D
- CEA
- ST-microelectronics
- ENSCPB - ICMCB (CNRS Bordeaux)
Identification :
- Durée : 24 mois
- Projet précompétitif
Point de contact :
M. Olivier Blandenet - oblandenet@hef.fr
Développement d'une nouvelle génération de substrats silicium contraint sur isolant et silicium Germanium sur isolant par techniques de transfert de couches.
Dans le domaine des technologies CMOS, deux sauts technologiques majeurs indépendants sont en route : le SOI et les empilements Si/SiGe pour silicium contraint. Dans les deux cas, l'enjeu est d'accéder à des circuits plus rapides, plus économes, plus performants. Dans les deux cas, le matériau est un élément clé, déclencheur réel de l'adoption massive de chacune de ces deux technologies avancées. Ce projet vise à marier ces deux sauts technologiques en offrant le matériau silicium contraint sur isolant permettant de combiner ces deux technologies en une seule, aboutissant à des circuits définitivement plus performants.
Selon un autre aspect, ce projet vise à développer une nouvelle génération de pseudo-substrats (ou "substrats virtuels") pour la croissance épitaxiale d'empilements à base de SiGe et/ou silicium contraint.
L'obtention de telles couches contraintes nécessite aujourd'hui la réalisation de couches tampon complexes dont la présence si utile pour la croissance épitaxiale devient très pénalisante à posteriori (source de création de défauts et de couplages parasites, complication de la réalisation de composants). La nouvelle génération de substrats visée ici se caractérise aussi par la réalisation de substrats virtuels remarquables en ce que ces couches tampons sont significativement simplifiées, .. voire supprimées !
Partenaires du Projet :
- SOITEC
- STMicroelectronics
- CEA / LETI
- IEF_ Orsay
- CEMES/CNRS Toulouse
- LPST - Toulouse
Identification :
- Durée : 18 mois
- Projet précompétitif
Point de contact :
M Bruno GHYSELEN - Ghyselen@soitec.fr
MicRO PaCKaging à managEment Thermique avancé pour sources de très forte puissance.
Le but de ce projet est de développer un nouveau concept de micro- boîtier de puissance possédant des fonctions de management thermique avancé. L'avènement de semi-conducteurs à grand gap (Carbure de Silicium, Nitrure de Gallium, ....) pose un sévère problème de gestion de la puissance dissipée dans ces composants. Les densités attendues sont très supérieures à celles actuellement rencontrées (5 à 10 fonction des modes de fonctionnement). Ces nouvelles technologies apportent en outre une réponse concurrentielle technique aux émetteurs à tube. Notons que les études proposées dans ce projet représentent également un tremplin pour les générations à venir de matériaux (BN - Nitrure de Bore, Diamant) ou d'applications (µtubes à base de matériaux à affinité électronique "réduite").
En intégrant un micro- évacuateur thermique en contact direct avec la source de chaleur et en liaison direct avec le système de fermeture du dispositif d'encapsulation, il est possible de réduire fortement la résistance thermique de l'ensemble composant + boîtier. Un facteur de réduction supérieur à 2 par rapport aux meilleures solutions techniques proposées à ce jour est attendu.
Il est indiqué que la fonction d'empilement de ces µboîtiers envisagée conduit à des structures 3D dans lesquelles des chemins privilégier de conduction thermique sont assurés.
De plus, il est proposé d'associer des fonctions (adaptation hyperfréquence, découplage signaux RF-hyper d'une part - continus d'autre part, sonde thermique) dans la structure de ce couvercle lui assurant ainsi une double fonction. Le couplage de cette fonctionnalité avec des techniques développées par ailleurs de "collage"de substrats permettrait d'intégrer les fonctions de traitement de signal ou basses fréquences actuellement déportés sur ce type de substrat.
Associé à un encombrement très réduit pour les puissance mises en jeu (puissance dissipée >100W) et à un coût optimisé tenant compte de l'utilisation de matériaux innovants, ce dispositif constitue un des premiers jalons à remplir vers une nouvelle gestion de la thermique de source de haute puissance pour application télécom.
Partenaires du Projet :
- Thales Research and Technologies - Fr
- United Monolithic Semiconductor (UMS)
- Alcatel Space
- EGIDE
- CNRS - UMR 6607 - Université de Nantes - IPUN
- CNRS - UMR 5818 - Université de Bordeaux - IXL
Identification :
- Durée : 36 mois
- Projet exploratoire
Point de contact :
Le projet a pour objet la réalisation de micro-miroirs déformables (MMD) pour l’optique adaptative. L’objectif est d’apporter une solution adaptée aux industriels demandant une solution technologique qui leur permette d’adresser le marché des systèmes d’optique adaptative de manière performante.
L’approche repose sur la réalisation avec les techniques de fabrication collectives développées en micro-technologies de composants micro-miroirs déformables (MMD) comportant une membrane déformable et une matrice d’actionneurs électrostatiques innovants. Cette solution permettra une correction d’aberrations optiques d’amplitude et d’ordre plus élevés, tout en réduisant les coûts.
Les choix techniques et le partenariat résultent d’une analyse prenant en compte les aspects : conception, maîtrise technologique, capacité d’industrialisation, fiabilité, caractérisations "système", propriété industrielle. Le démonstrateur sera un MMD comportant 40 actionneurs.
Partenaires du Projet :
- CEA/LETI
- TRONICS
- LAOG
- Mauna Kéa Technologies (MKT)
- Imagine Optic (IO)
Identification :
- Durée : 30 mois
- Projet exploratoire
Point de contact :
M Eric OLLIER - eric.ollier@cea.fr
Il s’agit de réaliser, dans le cadre d’une recherche exploratoire, une nouvelle source d’électrons adaptée aux tubes hyperfréquences à ondes progressives (TOP) pour les télécommunications, en utilisant des cathodes froides à base de matrices régulières de nanotubes de carbone orientés. On compte dans ce projet prouver la faisabilité d’une nouvelle solution technologique à partir de cathodes froides (basée sur l’émission de champ plutôt que sur le concept actuel de l’émission thermo-ionique) pour améliorer les performances des TOP (10-30GHz), élargir la bande de fréquence vers des fréquences plus élevées, et simplifier le principe des tubes actuels. Les nanotubes de carbone seront élaborés par voies physique (ablation laser) et chimique (CVD), et l’un des aspects importants de ce projet sera l’étude de la croissance localisée, sur plots de catalyseurs synthétisés par nanolithographie, de nanotubes de carbone individuels et orientés pour la réalisation de cathodes froides à émission de champ performantes.
Partenaires du Projet :
- CNRS/PHASE
- IPCMS-GSI/CNRS
- LPICM (Ecole Polytechnique)
- THALES R&T
- THALES Electron Devices (TED)
- ION BEAM SERVICES (IBS)
Identification :
- Durée : 36 mois
- Projet exploratoire
Point de contact :
M Eric FOGARASSY - Eric.Fogarassy@phase.c-strasbourg.fr
Avec la diversité des matériaux employés dans les micro- et nanotechnologies, les contraintes d’origine thermomécanique ne sont plus maîtrisables par des moyens empiriques. Dans les circuits intégrés, les MEMS, les dispositifs pour l’optique, elles ont accru les risques d’endommagement en cours de fabrication (fissuration, délamination) et de défaillance en service (rupture).
Le projet STRESSNET propose, via un réseau national de compétences, de valider, de développer et d’utiliser conjointement des techniques expérimentales (mesures, observations) et des méthodes numériques (modélisation, simulation) afin d’améliorer la connaissance des interactions mécaniques entre matériaux.
Ces outils, méthodes et connaissances permettront d’anticiper le comportement des matériaux, de fiabiliser et d’optimiser le fonctionnement des dispositifs.
Partenaires du Projet :
- CEA Grenoble /DRT/LETI
- CEA Grenoble /DRT/DTEN
- ST-PHILIPS Crolles
- SOITEC
- IEF Orsay -UMR 8622
- TECSEN Marseille -UMR 6122
- LMP Poitiers-UMR 6630
- LTPCM Grenoble -UMR 5614
- LEPMI Grenoble -UMR 5631
- INSA Lyon
- IEMN – UMR 8520 Dpt ISEN Lille
- LPS Toulouse-ESR 5646
- LMARC Besançon-UMR 6604
- LMS Ecole Polytechnique Palaiseau
- CEMES Toulouse-UPR 8011
Identification :
- Durée : 36 mois
- Projet de plateforme
Point de contact :
M Jean-Jacques LOPEZ - jjlopez@cea.fr
Le projet CMOS-D-ALI vise l’étude des briques de base, la fabrication et l’étude par la caractérisation électrique , la simulation et la modélisation de transistor CMOS à double grille métalliques duales auto alignées. Dans un premier temps on étudiera le dépôt de matériaux métalliques à travaux de sortie ajustables en vue de contrôler la tension de seuil des dispositifs par les grille des transistors. On visera un travail de sortie de 4,87V/et 4,47V pour les grilles de transistors à canal n/p respectivement On étudiera aussi leur gravure en vue de l’introduction dans une structure du type SOI obtenue grâce notamment au collage moléculaire. La réalisation de 1ers prototypes de longueur de grille 50nm et finalement de 25nm permettra d’étudier les phénomènes de transport quantique par la caractérisation électrique et la modélisation. Une étude de l’empilement vertical sera aussi menée en parallèle aux études de transport pour valider nos modèles et augmenter la précision de nos outils de simulations.
Partenaires du Projet :
- CEA-LETI, Grenoble
- STMicroelectronics, Crolles
- LTM/CNRS, Grenoble
- IMEP/INPG, Grenoble
- IEF/CNRS-UPS, Orsay
- L2MP/CNRS, Marseille
Identification :
- Durée : 306 mois
- Projet exploratoire
Point de contact :
M Simon DELEONIBUS -sdeleonibus@cea.fr
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